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擴(kuò)散硅壓力變送器DBYG-5000/ST201自儀一廠
擴(kuò)散硅壓力變送器采用進(jìn)口芯片,經(jīng)過精心的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),信號(hào)處理和組裝,并按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和企業(yè)標(biāo)準(zhǔn),進(jìn)行測(cè)試而生產(chǎn)出來(lái)的新一代測(cè)量元件。AO910系列擴(kuò)散硅壓力變送器 采用的高精度高穩(wěn)定傳感器,配以ASIS高性能放大電路,經(jīng)過數(shù)千次疲勞沖擊,高,低溫循環(huán)老化及精密的數(shù)字溫度補(bǔ)償工藝,再經(jīng)過不銹鋼全封焊(激光焊接)精制而成。
高質(zhì)量的傳感器,嚴(yán)格的校驗(yàn)工藝,及完善的裝配工藝確保了AO910系列擴(kuò)散硅壓力變送器的優(yōu)異品質(zhì)。
系列擴(kuò)散硅壓力變送器工作原理:利用半導(dǎo)體的壓阻效應(yīng)和微機(jī)械加工技術(shù),在單晶硅片的特定晶向上,用光刻、擴(kuò)散等半導(dǎo)體工藝制做一惠斯登電橋,形成敏感膜片,當(dāng)受到外力作用時(shí)產(chǎn)生微應(yīng)變,電阻率發(fā)生變化,使橋臂電阻發(fā)生變化(一對(duì)變大一對(duì)變小)在激勵(lì)電壓信號(hào)輸出,經(jīng)過計(jì)算機(jī)溫度補(bǔ)償、激光調(diào)阻、信號(hào)放大等處理手段和嚴(yán)格的裝配檢測(cè)、標(biāo)定等工藝,生產(chǎn)出具有標(biāo)準(zhǔn)輸出信號(hào)的壓力變送器。
一般應(yīng)變式傳感器輸出僅為10mv左右,而擴(kuò)散硅傳感器滿量程輸出為100mv左右,干擾及噪聲等因素影響相對(duì)較小,放大電路成本也相應(yīng)降低,分辨率大大提高。零壓力附近無(wú)死區(qū)。
擴(kuò)散硅壓阻式壓力傳感器實(shí)現(xiàn)了壓力受感,壓力傳遞力一電轉(zhuǎn)換由同一元件上實(shí)現(xiàn),無(wú)中間轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié),無(wú)壓力滯后,無(wú)機(jī)械位移變形,保證了極小的重復(fù)性和遲滯誤差,和良好的線性度,無(wú)蠕變、穩(wěn)定、可靠、壽命長(zhǎng)。
由于采用了激光調(diào)阻,計(jì)算機(jī)補(bǔ)償?shù)认冗M(jìn)技術(shù)和巧妙控制擴(kuò)散濃度,實(shí)現(xiàn)滿量程溫度漂移(靈敏度溫度系數(shù))自補(bǔ)償??朔税雽?dǎo)體晶片本身溫度系數(shù)大的缺陷,使變送器的零位和滿度溫漂達(dá)到了較高的水準(zhǔn),拓寬了使用溫區(qū)。
擴(kuò)散硅壓力傳感器,變送器具有低電流,低電壓,低功耗的特點(diǎn),屬于本質(zhì)安全防爆型產(chǎn)品,并已取得了國(guó)家安全防爆機(jī)構(gòu)頒發(fā)的防爆證書。
產(chǎn)品由于采用了不銹鋼材質(zhì)與特殊防護(hù)結(jié)構(gòu),和放大電路的防雷擊、抗干擾、抗過壓、過流等一系列保護(hù)手段,提高了可靠的密封防腐和抗惡劣工作環(huán)境的能力,*適合一般工業(yè)現(xiàn)場(chǎng)測(cè)量和控制的需要。
使用對(duì)象:液體、氣體或蒸汽
測(cè)量范圍
表壓: 0~5KPa~3.5MPa , 密封表壓:0~7MPa~100MPa
絕壓: 0~20KPa~35MPa , 負(fù)壓:-0.1MPa~2MPa
輸 出:4~20mADC
電 源:12~36VDC
負(fù)載特性:4~20mADC二線制
溫度范圍:-40℃~+ 85℃
外殼防護(hù):優(yōu)于IP65
防爆類型:隔爆型dⅡCT6; 本安型iaⅡCT6應(yīng)外配安全柵
綜合精度:精度等級(jí):0.1%、0.2%
穩(wěn) 定 性:優(yōu)于±0.25%FS/3年
溫度影響:
-10℃~+ 60℃范圍內(nèi): 變化量小于±0.1%/ 10℃(0.1級(jí))
變化量小于±0.15%/ 10℃(0.2級(jí))
-30℃~ -10℃范圍內(nèi)和60℃~+ 85℃范圍內(nèi): 變化量小于±0.15%/ 10℃(0.1級(jí))
變化量小于±0.20%/ 10℃(0.2級(jí))
振動(dòng)影響: 在任何方向上振動(dòng)頻率為20-200Hz時(shí),變化量小于±0.02% BFSL
沖擊影響: 任何方向100G沖擊11ms后,變化量小于±0.02% BFSL
負(fù)載影響: 只要輸入變送器的端子電壓高于12V,就無(wú)負(fù)載影響。
位置影響: 安裝位置不影響零點(diǎn)
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